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Lumerical MQW 使設計人員能夠為半導體設計廣泛的增益元素。MQW 在設計雷射、SOA、電吸收調變器和其他增益驅動主動元件時,提供了深入的物理見解。
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Lumerical MQW 會計算多量子井堆疊的光學與電子屬性
在原子薄度的半導體層中模擬量子機械性態,使您能夠在多量子井結構中,準確特徵化頻帶結構、增益和自發射。MQW 與 Lumerical CHARGE、MODE 和 INTERCONNECT 相結合,實現了雷射、SOA、電吸收調變器和其他增益驅動主動元件的設計。
Lumerical MQW 使設計人員能夠為半導體設計廣泛的增益元素。MQW 在設計雷射、SOA、電吸收調變器和其他增益驅動主動元件時,提供了深入的物理見解。
高度整合的光子系統是滿足高要求的功率和效能目標的關鍵
由於能夠匯入精簡模型,因此使用 Ansys INTERCONNECT 可設計和模擬帶有 SOA 的電路。使用 Lumerical MQW 設計自訂雷射並取得元件。
開發精簡、高效的 SOA 是光子產業的當前焦點。需要根據鑄造測量校準的系統級模型,使工程師能夠在電路級別充分利用自訂的 SOA,並確信其製造的電路可以正常運作。由於所涉及的物理複雜性極高,且無法找到有效方法解決這一挑戰,因此所能提供的 SOA 精簡模型非常有限。然而現在可以運用經過根據 HHI 的鑄造廠參數化的精簡模型,設計人員能省去費用高昂的參數擷取和校準工作。鑄造校準模型為設計人員提供了靈活性,同時節省了自訂進階裝置相關的迭代時間和成本。
Ansys Lumerical MQW 的新功能包括支援提高生產效率和模擬準確度,用於多種增益元素建模:
準確模擬在整合式光子電路的通用 III-V 製程中,裝配的電吸收調變器 (EAM) 的調變響應。
使用來自材料資料庫的材料,來定義多量子井結構、設定模擬控制,並使用新的 Ansys MQW 使用者介面執行模擬 (包括平行掃描)。
有限元素 IDE 中的電及熱材料資料庫現在包含使用 MQW 求解器進行模擬的III-V 三元及四元合金的材料屬性,包括 k.p. 模型參數。
透過 Lumerical MQW 深入了解雷射的物理性質並獲得相關元件。結合 Lumerical CHARGE、MODE 和 INTERCONNECT 時,Lumerical MQW 提供了設計雷射、SOA、電吸收調變器和其它增益驅動主動光子裝置所需的所有模擬分析。MQW 包括使用 k.p 方法的全耦合量子機械式波帶結構計算、波函數和頻帶圖計算,以及增益和自發射分析。Lumerical MQW 搭配完整的材料庫,將自動為部分半導體化合物建立模型。
精密的雷射模型模擬提供整合與效能特性分析,以獲得更好的最終產品。
建立複雜的雷射模型,其中包含調諧和外部回饋效應、模擬和提取 TWLM 的關鍵參數,並描述穩定狀態和暫態雷射效能。
Lumerical MQW 使用 k.p 方法提供完全耦合的量子機械式波帶結構計算。
Lumerical MQW 包括一個具有通用 III-V 半導體的全面材料庫。自動建立部分半導體化合物的模型 (例如 InGaAsP)。MQW 是可存取且可客製化的指令碼。
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