使用经过生产验证的多物理场分析创建高效、可靠的设计
Ansys云原生解决方案提供无与伦比的容量,甚至可以加快最大的FinFET集成电路(IC)和3D/2.5D多芯片系统的完成时间。这些功能强大的多物理场分析和验证工具使用代工厂认证的黄金签核验证,可降低功耗、提高性能与可靠性,并降低项目风险。
Ansys云原生解决方案提供无与伦比的容量,甚至可以加快最大的FinFET集成电路(IC)和3D/2.5D多芯片系统的完成时间。这些功能强大的多物理场分析和验证工具使用代工厂认证的黄金签核验证,可降低功耗、提高性能与可靠性,并降低项目风险。
云原生弹性计算架构,可实现全芯片容量
本视频简要概述了电子设计自动化(EDA)市场所面临的挑战以及Ansys半导体软件产品所提供的解决方案。半导体设计正在经历一个转折点,因为设计人员面临着制造进步所带来的两项重大挑战:第一大挑战是,摩尔定律持续向5nm以下的先进FinFET工艺技术迈进。新的晶体管架构相继推出,如纳米级全环绕栅极(GAA)和背面供电技术。半导体设计人员面临的第二大挑战,涉及多芯片设计、2.5D/3D-IC封装和异构集成。领先的设计团队已经采用了这些先进技术,以解决他们在通往3D-IC成功之路上所面临的各种全新多物理场挑战。新的多物理场挑战包括:
“分析高度复杂的芯片中的动态压降一直是一大挑战。使用Ansys的SigmaDVD仿真技术,可以生成数万种独特的开关场景,并扩大IR压降热点的覆盖范围。”
“使用Ansys RedHawk-SC和optiSLang,我们可以使配电网络(PDN)探索过程实现10倍速度提升,从数周缩短到几小时。”
“使用Ansys的SigmaDVD技术,NXP实现了将配电网络(PDN)压降分析所需的总时间显著减少4倍。”
“使用Ansys PowerArtist,Illuvatar通过优化RTL功耗将GPGPU的电源效率提高了多达10倍。”
“Ansys RedHawk-SC Security使我们不仅能够验证激光故障注入(LFI)的全芯片弹性,还能够对未达到LFI阈值的关键单元进行精确的布局级设计修复。”
2025年7月
Ansys 2025 R2版本标志着半导体设计的重大飞跃,不仅融合了先进技术,还深化了生态系统合作伙伴关系。RedHawk-SC现已配备AI协同助手,可加速智能设计工作流程;与此同时,新推出的PowerX解决方案则可满足半导体电源器件设计日益增长的需求,尤其适用于逆变器、电动汽车、电源设备和片上系统的PMIC。PathFinder-SC已获得台积电的全面签核认证,进一步巩固了其在多芯片(Multi-die)静电放电(ESD)分析方面的领先地位。此外,Ansys还与台积电合作,面向共封装光学器件开发了综合多物理场流程,无缝整合多款Ansys工具,可为台积电的COUPE共封装光学器件架构提供更高的准确性、容量和解决方案可用性。
Ansys Semiconductor产品提供一套综合全面的多物理场EM/IR、热和电磁仿真引擎,旨在支持数字和晶体管级设计的第三方IC实施流程。
核心产品基于超高容量、云原生SeaScape™平台构建,该平台使用弹性计算大数据机器学习架构,在数千个CPU内核上实现近似的可扩展性。
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