Ansys博客
April 8, 2019
使用静电放电（ESD）模型的电磁敏感性（EMS）仿真方法（第一部分）。（来源：2018年DAC大会，神户大学Makoto Nagata教授介绍的针对片上ESD分析的EMS设计方法。）
EMC是指电子组件之间可能产生的相互干扰。对组件的输出电磁干扰（EMI）进行测试，涉及确定其产生电磁（EM）辐射的能力。对组件的EM辐射防御能力进行测试，则涉及确定其电磁敏感性（EMS）。
我们可以从这个角度思考：谁也不希望在启动车载娱乐系统时，高级驾驶辅助系统（ADAS）出现故障。
在创建物理原型之前，工程师可以使用由Ansys PathFinder生成的扩展芯片电源模型，来评估汽车电子组件的EM辐射和敏感性。这些模型可以表示：
- 片上供电网络。
- 硅基板寄生效应。
- 静电放电（ESD）器件。
如何设置电磁兼容性仿真
EM辐射和敏感性仿真必须包含所有EM噪声耦合路径。
使用静电放电（ESD）模型的EMS仿真方法（第二部分）。（来源：2018年DAC大会，神户大学Makoto Nagata教授介绍的针对片上ESD分析的EMS设计方法。）
仿真中还必须考虑到任何可能导致EM噪声或受EM噪声影响的电路、电容器、电阻器或器件。
PathFinder的片上系统（SoC）ESD模型有助于在EMC仿真中纳入所有必要组件。通过使用芯片模型和芯片-封装-电路板协同分析，工程师可以满足汽车IC的严格EMC要求，从而确保这些应用的安全性和保密性。
换句话说，工程师可以利用Ansys的扩展芯片电源模型和芯片封装电路板协同分析，确保汽车的娱乐系统不会干扰ADAS或任何其他电子组件的功能。
如需了解如何在系统级EMC仿真中利用Ansys PathFinder的芯片电源模型，请观看网络研讨会：利用芯片电源模型对汽车IC执行系统级EMC仿真。