Ansys RaptorH凭2.5D/3D集成电路和系统领域抗电磁效应获三星Foundry认证

Ansys与三星的深入合作将加速AI、高性能计算和5G半导体设计的2.5D/3D-IC验证

2020年4月30日,匹兹堡讯 – Ansys® RaptorH™电磁(EM)仿真解决方案已通过三星Foundry的认证,该解决方案用于研发高级片上系统(SoC)和2.5维/三维集成电路(2.5D/3D-IC)。此次认证使得Ansys(NASDAQ: ANSS)能够帮助三星设计人员及三星Foundry客户在采用三星新的签核流程时更准确地分析并降低电磁效应带来的风险,从而大幅加速先进人工智能(AI)、高性能计算(HPC)以及5G半导体设计的发展。

三星的一系列高级纳米硅和2.5D/3D-IC技术需要一种验证电磁干扰的签核方法,避免其影响到复杂的多芯片装配体,而传统工具在设计上难以满足这一要求。工程师需要高容量电磁分析工具来准确建模超大型SoC和2.5D/3D装配体的信号完整性,这些装配体能以极高的数据速率处理信号。2.5D/3D-IC中信号之间难以量化的相互作用是关键故障点,限制了新技术的推广。

Ansys® HFSS™的高保真度高频电磁求解器与Ansys® RaptorX™的高速鲁棒性架构结合之后,RaptorH高度集成的分析解决方案有助于三星设计师对电磁现象建模,提高其2.5D/3D芯片装配体中的频率,同时确保寄生效应不会影响系统。这将推动这些新型封装技术更快地进入主流生产,并大幅降低风险。

三星电子Foundry设计平台开发执行副总裁Jaehong Park博士表示:“不断提高的数据速率,更高水平的电子系统集成和封装密度,将在前所未有的规模上对新型电磁分析功能提出更高要求。利用Ansys RaptorH,我们杰出的工程团队能够克服烦人的电磁效应,从而缩短设计周期,降低预算并提高性能。”

Ansys工程副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos指出: “通过继续加深与三星的合作,RaptorH能够提供优化的签核流程以消除电磁干扰带来的风险,并直接支持三星开发尖端AI、HPC和5G半导体设计。RaptorH将帮助三星设计人员和Foundry客户缩小芯片尺寸、减少功率需求、降低成本并加速其产品上市进程。此外,该解决方案还证明Ansys不仅能够将Helic等新收购的技术快速集成到自己的产品组合中,同时还能加速实现增长,并为全球客户提供急需的解决方案。”

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