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onsemi 與 Ansys 攜手推動產品與程序創新

三月 25, 2025

2:00 Mins

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Emily Gerken | Ansys 企業溝通專家
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半導體製造商必須找出可發揮最大能源效率、減少損耗並延長產品壽命的次世代材料。

onsemi 總部位於亞利桑那州史考茲戴爾,是全球領先的半導體製造商,在 19 個國家擁有超過 60 個製造與設計據點。如同其他半導體公司,onsemi 面臨持續開發更高效能設計的壓力,這些設計同時必須體積更小、具備成本效益、可持續性與能源效率。此外,其解決方案還必須堅固耐用,能夠承受汽車與工業應用的實際需求,而這些應用約佔公司營收的 75%。

「半導體產業如今正處於一個關鍵的轉捩點。」James Victory 表示,他自 2012 年起即為 onsemi 的建模與模擬領域專家。「架構概念、晶片設計與晶圓封裝都正在經歷革命性的變革。裝置的功能性每天都在提升。製造能力也正在被重新定義。」  

這場產業革命也包含善用碳化矽 (SiC) 等非傳統材料的優勢。onsemi 引領這款寬能隙材料的廣泛應用,推動製造出比傳統矽材料更具能源效率、體積更小且更堅固的半導體。成果為何?汽車與工業元件不僅效能更高,同時體積更小、成本更低。

「以 SiC 為基礎的半導體在電性與熱性能上均優於矽基替代方案,使其能在更高電壓、更高頻率與更高溫度下運作。事實上,相較於傳統的矽設計,SiC 解決方案的熱導率提升了四倍。」Victory 說道。

根據 Victory 的說法,SiC 卓越的電性與熱傳導表現不僅滿足現有市場需求,還創造了嶄新且令人振奮的應用可能。「在 650 到 1200 伏特之間,SiC 已被證明是在效能效率方面應用於新一代電動車、工業用太陽能與能源儲存、不斷電系統、先進電源供應、電池充電及其他高功率系統的最佳解決方案。」Victory 表示。

瞭解 Ansys 在電熱應用方面的創新能力。

以 Ansys 建構更強大的未來

基於 SiC 的巨大潛力,onsemi 正積極投入以此材料為核心的研究與開發 (R&D) 工作。

這些研發工作的重點之一是透過採用 Ansys 軟體的虛擬原型平台評估裝置與技術效能。Victory 自 1990 年代初期即為 Ansys 使用者,於 2012 年加入 onsemi,他的使命是建立業界領先的電源半導體設計支持能力,協助 onsemi 成為半導體產品創新的領導者。他曾在 Motorola Semiconductor、Xtremespectrum 和 Jazz Semiconductor 成功推動設計支持計畫。

Ansys 模擬有助於 onsemi 解決由 SiC MOSFET (金屬氧化物半導體場效電晶體) 快速切換特性所帶來的設計挑戰。快速切換效應可能導致晶粒與封裝間的交互作用,進而影響半導體的堅固性與可靠度。為了穩定大量生產 SiC 功率模組,onsemi 的產品開發團隊必須掌握電、熱與機械間的互動關係,以及這些因素如何影響模組效能與可靠度。

「建模與模擬在任何產業中都非常有價值,而在我的職涯中,我親眼見證了它們為半導體製造商帶來的驚人效益。」Victory 表示。「事實上,半導體公司可以將其建模與模擬能力轉化為一項重大的競爭優勢。」Victory 認為,模擬是縮短開發週期,達到真正突破性設計 (例如 onsemi 的 SiC 晶片) 的最佳方式,讓製造商能將創新速度與技術和市場的變化步調同步。

產品創新始於程序創新

Victory 與其團隊攜手 Ansys,開發出一套全新的方法,用以自動化並加速多精度熱建模 (MFIT) 程序,該程序用於驗證 onsemi 的 SiC MOSFET 工業功率模組。

他們這項創新且專有的方法已於 IEEE Explore 發表的技術論文中詳加說明,標題為 「針對碳化矽功率模組的自動化多領域分析與實驗室驗證」。

onsemi 與 Ansys 共同開發的這套自動化網頁式 MFIT 流程序,加快了 SiC 功率模組設計的電熱模擬,同時也提升了其準確度。onsemi 與 Ansys 攜手建立了首個完整且自動化的功率模組模擬平台,功能包括:

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當工程師迭代碳化矽 (SiC) 功率模組的設計時,onsemi 採用的物件導向方法賦予設計更多創造自由。一項突破性的任意夾具設計工具可因應各種複雜性,讓建模團隊能探索不同的夾具形狀與方向,以最大化整體效能。

  • 簡化階次的 SPICE (強調積體電路的模擬程式) 模型產生
  • 導入 Ansys 原生的 Python 指令碼庫以進行自動化處理

相較於過往的建模方法,onsemi 專有的自動化工作流程速度更快、準確度更高。舉例來說,一般的有限元素分析 (FEA) 模型建立流程包含耗時且易出錯的 CAD 實體建模,接著還需在模擬前處理階段進行模型匯入與理想化。在 onsemi 與 Ansys 新的工作流程中,這項作業已被完整指令碼化、自動化的 3D 實體建模所取代,幾乎不需使用者互動。

這項創新流程也會依據特定實體模型,自動套用客製化的網格與求解策略,進而省略不必要的步驟。例如,雖然針對晶片的作用區域進行建模對於散熱分析非常有意義,但所有訊號連接器的建模只在評估電性影響時才有必要。此流程會自動根據使用者的最終分析目標而進行調整。

這項自動化的 MFIT 方法也比傳統的自動化工作流程更具彈性,因為傳統流程仰賴按既定順序疊合實體幾何。由於 onsemi 採用物件導向流程,每個模組皆可自底向上組建──從定義組裝骨架的根物件出發進行設計。新佈局與複雜形狀能更容易被納入設計範疇,進而促進產品創新。

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onsemi 與 Ansys 所開發的自動化 MFIT 流程,在使用 SiC MOSFET 功率模組的 3D 模型 (左圖) 預測成品效能 (右圖) 方面,已被證明具有高度準確度。

分析自動化推動更快速且可預測的成果

這套專有的 MFIT 方法已在實驗中成功驗證於 onsemi 的 SiC MOSFET 工業功率模組上──這表示 onsemi 現在可透過 Ansys 軟體與自動化的工作流程,以快速且可靠的方式解決複雜的電熱問題。

「實體測試與原型驗證證明我們的 MFIT 結果具有高度準確度。這種『一次就成功』的能力,讓 onsemi 在創新且具競爭力產品的上市速度方面具備極大優勢。」Victory 補充道。

Victory 強調,SiC 製造所需的材料與製程非常昂貴。這也代表,這套專有的 MFIT 流程能在設計初期就預測產品效能──在尚未投入任何生產成本前,即可為 onsemi 帶來顯著的節省成本效益。

根據 Victory 的說法,如今 onsemi 與 Ansys 合作開發的自動化 MFIT 流程,已成為其端對端開發流程中不可或缺的關鍵環節。MFIT 流程的高效率與嚴謹性,讓 onsemi 得以在多樣化的客戶應用中率先將 SiC 商業化,領先業界。

「如同多數創新一樣,轉向 SiC 也帶來了重大的工程與設計挑戰。我們很幸運多年來能與 Ansys 合作,攜手克服這類挑戰──透過設計、製程與模擬流程上的創新,直接促成產品創新。」Victory 最後表示。

深入瞭解 Ansys 的半導體模擬能力


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「建模與模擬在任何產業中都非常有價值,而在我的職涯中,我親眼見證了它們為半導體製造商帶來的驚人效益。」

──James Victory,onsemi 建模與模擬專家


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