Ansys多物理场解决方案通过台积电新一代高速3D-IC封装技术认证

台积电采用Ansys多物理场平台分析其CoWoS®和InFO技术的电源、热和信号完整性


主要亮点

  • Ansys凭借其先进的半导体设计解决方案成功通过台积电高速CoWoS®(晶圆基底芯片)和InFO(集成扇出型)2.5D与3D高级封装技术认证。
  • Ansys综合全面的电源、热和信号完整性分析引擎套件可仿真、计算和缓解可靠性问题,从而实现最佳电气性能。

2020年8月26日,宾西法尼亚州匹兹堡讯 Ansys (NASDAQ:ANSS)凭借其先进的半导体设计解决方案成功通过 台积电的高速CoWoS®与硅interposer(CoWoS®-S)以及RDL互联InFO(InFO-R)的高级封装技术认证。赋能客户对电源、信号完整性,分析热效应产生的影响进行签核,确保完整一体的2.5D和3D硅系统的可靠性。

An Nvidia chip showcasing multi-die integration. Image courtesy of Nvidia
Nvidia芯片展示多芯片集成的。图片由Nvidia提供

TSMC认证了 Ansys® RedHawk™Ansys® RaptorH™多物理场解决方案系列,这包括用于新一代CoWoS®-S和InFO-R高级封装技术的Ansys® Redhawk-SC Electrothermal™。该认证包括晶圆裸片和封装协同仿真与协同分析,支持提取、电源和信号完整性分析、电源和信号电迁移(EM)分析以及热分析等。这套综合全面的电源、热、信号完整性和EM分析工具解决方案将帮助仿真、计算和缓解可靠性问题,以获得最佳电气性能。

台积电设计基础架构管理事业部高级总监Suk Lee表示: “我们双方开展协作将Ansys多物理场解决方案与台积电的CoWoS®和InFO高级封装技术结合成果显著,这有助于我们双方客户应对设计难题和技术挑战。通过我们目前与Ansys的合作,客户能改进并验证他们的前沿设计,满足严苛的性能和可靠性标准。”

Ansys副总裁兼总经理John Lee说: “为满足Wi-Fi系统、5G移动设备和高速无线组件对可靠性的严格要求,客户需要综合全面的多物理场仿真解决方案,以解决整个芯片、封装和系统的电源、可靠性和热问题。通过与台积电合作,双方客户将借助我们前沿的多物理场仿真平台,克服这些挑战,实现设计一次性成功进而加快产品上市进程。”

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