ANSYS自发热、电源完整性和电迁移解决方案获得三星最新FINFET技术支持

ANSYS解决方案获得认证和支持有助于用户打造高鲁棒性、可靠性的集成电路,满足高性能计算、移动和汽车应用需求

2017年5月24日,匹兹堡讯——得益于三星对ANSYS解决方案的认证和支持,三星电子ANSYS(NASDAQ:ANSS)的客户能够创建新一代高鲁棒性、高可靠性电子产品。

面向10nm芯片技术的自发热认证以及最新7LPP/8LPP技术的电迁移(EM)和压降(IR)支持,能帮助客户降低设计风险,同时为高性能计算、移动和汽车应用提供最高级别的鲁棒性和可靠性。

对于上述应用而言,长期可靠性至关重要,而ANSYS解决方案有助于进行各种片上系统(SoC)分析,包括提取、功耗和可靠性、信号和电源完整性、以及涵盖芯片预期使用寿命的热可靠性等。ANSYS和三星合作开展此次的认证支持工作,旨在为客户提供最可靠的解决方案,帮助其研发创新型可靠性产品,同时最小化设计成本和风险。

三星电子设计技术团队副总裁Suk Won Kim指出:“开展自发热分析和热分析是汽车和高性能计算应用的一项必备要求。我们与ANSYS通力合作,在三星代工的尖端工艺平台上认证和支持ANSYS解决方案,有助于客户打造最高鲁棒性、最可靠的SoC。”

ANSYS的总经理John Lee指出:“我们与三星代工合作开展面向10nm芯片技术的ANSYS自发热解决方案的认证工作,并为最新FinFET工艺技术平台提供EM/IR技术,这有利于我们共同的客户研发高鲁棒性、可靠性SoC。此次认证和技术支持能够帮助客户打造新一代汽车和高性能计算产品,并充分满足鲁棒性、可靠性和安全性要求。”

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